描述

高性能紅外發(fā)射器，采用TO8封裝，包含4個芯片，用于測量極低濃度或吸收特性較弱的氣體。標(biāo)準(zhǔn)TO8封裝版本帶有反射器但無窗口，也適用于從30厘米開始的長距離測量。這種基于MEMS的發(fā)射器與燈絲發(fā)射器相比，它具有顯著更長的使用壽命和更少的漂移。

與燈絲紅外源不同，JSIR 350 Quad發(fā)射器可調(diào)制/可脈沖化，并且不需要額外的斬波器。

高性能納米非晶碳膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的膜片溫度，提供高且長期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350 Quad紅外發(fā)射器非常適合用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)、航空航天以及其他高要求應(yīng)用領(lǐng)域的各種氣體分析應(yīng)用。

該紅外照明器可以與MTS熱電堆探測器或MPS熱釋電探測器配合使用。與Micro-Hybrid IR探測器結(jié)合使用時，可確保最佳性能并確保在分析氣體濃度時獲得精確的測量結(jié)果。

應(yīng)用

l非色散紅外氣體分析

l直接光譜法

l衰減全反射光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體，如乙烯（C2H4）和乙炔（C2H2）

l其他紅外活性氣體，特別是低濃度或低吸收值的氣體

特點(diǎn)

l高膜片溫度，高達(dá)850°C

l四象限模式帶來高輻射輸出

l高調(diào)制頻率

l長壽命（由于膜片的高穩(wěn)定性而具有高可靠性）

技術(shù)參數(shù)

1.在標(biāo)稱功率下

2. 25°C - 800°C

3. 在通電狀態(tài)下

4. 帶有40Ω熱阻

5. 在環(huán)境溫度為25°C時

6. 通過紅外相機(jī)（0.7-1.1μm）測量的熱點(diǎn)溫度下降10%的平均溫度分布

7. 連續(xù)模式下，MTTF 63%（膜片破裂，基于阿倫尼烏斯定律的計算值）

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

截面圖-JSIR 350-4 quad

產(chǎn)品概述